AI算力帶動光模組需求，InP襯底與薄膜鈮酸鋰產業解析

隨著近年800G、1.6T光模組需求快速提升，以及未來3.2T時代逐步臨近，光模組上游核心材料正迎來新的發展機遇。本文圍繞InP襯底與薄膜鈮酸鋰兩大產業方向，梳理其在AI算力高增長背景下的成長邏輯。其中，InP襯底作為光晶片生產的核心原材料之一，受益於光晶片廠商需求快速拉動，行業呈現供不應求趨勢；而薄膜鈮酸鋰調製器則憑藉低功耗、高頻寬等優勢，有望在3.2T可插拔方案中迎來導入窗口期，產業鏈成長空間廣闊。

AI算力投資持續加碼，是光模組產業鏈景氣度提升的重要驅動力。隨著全球科技巨頭繼續投入AI算力建設，數據中心對高速光模組的需求有望延續高增長。根據LightCounting於2026年1月發布的預測，全球高速率，即100G及以上，數通光模組市場規模有望由2025年的164億美元擴張至2031年的521億美元。在光模組需求提升的同時，光晶片作為其上游核心原材料之一，需求側亦呈現快速增長趨勢。根據源傑科技港股招股書數據，全球光晶片市場規模預計有望由2024年的26億美元增長至2030年的229億美元，對應期間CAGR達44%。

在InP襯底方面，其作為光晶片生產的重要基礎材料，有望隨著光晶片需求釋放進入高速發展期。2026至2027年，800G、1.6T光模組需求有望進一步拉動光晶片需求，Lumentum、Coherent、源傑等海內外光晶片龍頭廠商均在積極擴充產能。在此背景下，InP襯底作為上游關鍵材料，有望受益於下游擴產與需求增長。根據Yole預測，全球InP襯底銷量折合為2英寸，有望由2019年的50萬片增加至2026年的128萬片。

從市場格局看，全球InP襯底市場集中度較高，日本住友、北京通美及日本JX合計佔據超90%市場份額。（由於行業涉及高純原材料、多晶合成、單晶生長、襯底製備、外延片及光晶片等多個環節，技術與工藝壁壘較高。在需求高增長背景下，新晉廠商有望獲得導入機遇。整體而言，InP襯底產業鏈可劃分為高純原材料，包括紅磷、金屬銦等，到多晶合成，再到單晶生長與襯底製備，最終進入外延片或光晶片環節。

薄膜鈮酸鋰則是面向3.2T光模組時代的重要材料方向。隨著3.2T光模組漸行漸近，單通道調製速率需要達到400G，對調製器性能提出更高要求。薄膜鈮酸鋰相比純矽光調製器，具備超高頻寬、低功耗、低損耗等方面優勢，因此有望在3.2T可插拔方案中迎來導入機遇。根據華泰研究測算，2031年僅3.2T光模組帶動的薄膜鈮酸鋰調製器市場空間有望接近30億元，對應2029至2031年CAGR達271%。

從產業鏈來看，薄膜鈮酸鋰可劃分為鈮酸鋰晶體材料、薄膜鈮酸鋰晶圓、薄膜鈮酸鋰調製器，即晶片，三大核心環節。各環節均具備較高技術壁壘，但我國廠商已在相關領域取得積極進展。原文認為，隨著3.2T時代逐步到來，相關廠商有望迎接更廣闊的發展機遇。

整體來看，AI算力需求提升推動光模組市場快速擴張，進一步帶動光晶片及其上游核心材料需求增長。InP襯底受益於光晶片產能擴張與供需緊張格局，薄膜鈮酸鋰則有望憑藉性能優勢切入3.2T光模組方案。兩大材料方向均具備較高產業壁壘與成長潛力，但仍需關注雲廠商資本開支投入不及預期、行業競爭加劇等風險。